氧化亞硅SiOx膨脹遠小于納米硅，高于石墨，需減少膨脹使SiOx循環中破碎和粉化，提高循環性及倍率性。為提高SiOx首次效率，研制Si-SiOx-C復合碳硅，使亞硅外包覆碳，提高綜合性能，在0.06C下容量達1660mAh/g，首次效率達82%，1C循環1500次，容量達88%。
負極三元材料生產制備技術工藝優勢：碳包覆亞硅表面改性，提高流動性、電導率、首次效率、容量率、電化學及循環壽命，低膨脹率等。
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